NCE80TD65BT Transistörler IGBT TO-247 DIP 650V 80A

Jeking NCE80TD65BT Transistörleri IGBT TO-247 DIP 650V 80A, zorlu uygulamalarda sağlam performans için tasarlanmış yüksek güçlü yalıtımlı bir kapı bipolar transistörüdür (IGBT). Bu IGBT, maksimum 650V voltaj değeri ve 80A akım işleme kapasitesi sunar, bu da onu güç elektroniği ve motor kontrol sistemleri için uygun hale getirir. TO-247 paketi, çalışma sırasında optimum ısı dağılımı sağlayan dayanıklı ve termal olarak verimli bir form faktörü sağlar.

Ana Özellikler:

• Verimli anahtarlama ve doğrusal amplifikasyon için yalıtımlı kapı bipolar transistörü (IGBT)
• Güç devrelerinde güvenilir çalışma için 650V yüksek voltaj değeri
• Sağlam performans için 80A'lık mevcut taşıma kapasitesi
• Üstün termal yönetim için TO-247 paketi
• Güç elektroniği, motor sürücüleri ve diğer yüksek akım uygulamaları için uygundur
• Daha uzun kullanım ömrü ve güvenilirlik için sağlam yapı