NCE80TD65BT Transistores IGBT TO-247 DIP 650V 80A

O Jeking NCE80TD65BT Transistor IGBT TO-247 DIP 650V 80A é um transistor bipolar de porta isolada de alta potência (IGBT) projetado para desempenho robusto em aplicações exigentes. Este IGBT oferece uma tensão nominal máxima de 650 V e uma capacidade de manuseio de corrente de 80 A, tornando-o adequado para eletrônica de potência e sistemas de controle de motores. O encapsulamento TO-247 fornece um fator de forma durável e termicamente eficiente, garantindo a dissipação de calor ideal durante a operação.

Características principais:

• Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) para comutação eficiente e amplificação linear
• Classificação de alta tensão de 650V para operação confiável em circuitos de energia
• Capacidade de manuseio atual de 80A para desempenho robusto
• Pacote TO-247 para gerenciamento térmico superior
• Adequado para eletrônica de potência, acionamentos de motores e outras aplicações de alta corrente
• Construção robusta para maior vida útil e confiabilidade