O IRFB4110PBF MOSFET TO220AB Jeking N-CH 100V 120A é um transistor de efeito de campo (MOSFET) semicondutor de óxido metálico de alta potência projetado para desempenho superior em aplicações de eletrônica de potência. Este dispositivo de canal N possui uma tensão nominal máxima de 100 V e uma capacidade de manuseio de corrente de 120 A, tornando-o a escolha ideal para sistemas exigentes de gerenciamento de energia e acionamento de motores. O pacote TO220AB garante uma dissipação de calor eficiente, contribuindo para a confiabilidade geral e longevidade do dispositivo.
Características principais:
Tipo FET | Canal N |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100 V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id | 4V @ 250μA |
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