Transistores fqa60n65smdigbt - transistores bipolares de porta isolada de alta potência para aplicações industriais

Paragem de campo igt 650v 120a a 3p

Descrição do Produto

fga60n65smd é um módulo 600v, 60a igbt produzido pela on semiconductor. tem uma tensão nominal de 600v e uma corrente nominal de 60a, tornando-o adequado para aplicações de alta tensão e alta potência. adota um design de baixa resistência, que pode reduzir as perdas de


Aplicações em electrónica de potência: adequadas para aplicações de alta tensão e alta potência no domínio da electrónica de potência, como conversores de frequência, motores de propulsão, etc.


Aplicações de controlo industrial: adequadas para aplicações de alta tensão e de alta potência no domínio do controlo industrial, tais como PLC, robôs industriais, etc.


Aplicações em electrónica automóvel: adequadas para aplicações de alta tensão e alta potência no domínio da electrónica automóvel, como veículos eléctricos, veículos híbridos, etc.


Outras aplicações: adequadas para outras aplicações que exijam alta tensão e alta potência, como inversores solares, turbinas eólicas, etc.

número do produto do fabricante

FQ60N65smd

Fabricante

semi
Tipo de igbtParagem de campo
Potência - max600 W
Condição de ensaio400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V
Tipo de Montagematravés de um buraco

Embalagem / Caixa

até 3p

operaçãoTemperatura-55°c ~ 175°c (tj)


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