BATENTE DE CAMPO IGBT 650V 120A TO3P
FGA60N65SMD é um módulo IGBT de 600 V, 60 A produzido pela ON Semiconductor. Tem uma tensão nominal de 600V e uma corrente nominal de 60A, tornando-o adequado para aplicações de alta tensão e alta potência. Adota um design de baixa resistência, que pode reduzir as perdas de condução e melhorar a eficiência. E também possui velocidade de comutação rápida, o que pode reduzir as perdas de comutação e melhorar a eficiência. Finalmente, tem tolerância a altas temperaturas e pode se adaptar a ambientes de alta temperatura.
Aplicações de eletrônica de potência: Adequado para aplicações de alta tensão e alta potência no campo da eletrônica de potência, como conversores de frequência, acionamentos de motores, etc.
Aplicações de controle industrial: Adequado para aplicações de alta tensão e alta potência no campo do controle industrial, como PLC, robôs industriais, etc.
Aplicações eletrônicas automotivas: Adequado para aplicações de alta tensão e alta potência no campo da eletrônica automotiva, como veículos elétricos, veículos híbridos, etc.
Outras aplicações: Adequado para outras aplicações que requerem alta tensão e alta potência, como inversores solares, turbinas eólicas, etc.
Número do produto do fabricante | FQA60N65SMD |
Fabricante | onsemi |
Tipo IGBT | Parada de campo |
Potência - Máx. | 600W |
Condição de teste | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
Tipo de montagem | Furo passante |
Pacote / Estojo | TO-3P |
MultinacionalTemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
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