NCE80TD65BT Transistors IGBT TO-247 DIP 650V 80A

Le transistors Jeking NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) haute puissance conçu pour des performances robustes dans les applications exigeantes. Cet IGBT offre une tension nominale maximale de 650 V et une capacité de gestion du courant de 80 A, ce qui le rend adapté à l’électronique de puissance et aux systèmes de contrôle de moteur. Le boîtier TO-247 offre un facteur de forme durable et thermiquement efficace, assurant une dissipation optimale de la chaleur pendant le fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) pour une commutation efficace et une amplification linéaire
• Tension nominale élevée de 650 V pour un fonctionnement fiable dans les circuits d’alimentation
• Capacité de gestion du courant de 80 A pour des performances robustes
• Ensemble TO-247 pour une gestion thermique supérieure
• Convient pour l’électronique de puissance, les entraînements de moteurs et d’autres applications à courant élevé
• Construction robuste pour une durée de vie et une fiabilité prolongées