NCE80TD65BT Transistors IGBT TO-247 DIP 650V 80A

Le Jeking NCE80TD65BT Transistors IGBT TO-247 DIP 650V 80A est un transistor bipolaire à porte isolée (IGBT) à haute puissance conçu pour des performances robustes dans des applications exigeantes. Cette IGBT offre une tension nominale maximale de 650V et une capacité de traitement du courant de 80A, ce qui la rend adaptée à l'électronique de puissance et aux systèmes de contrôle du moteur. Le TO-247 offre un facteur de forme durable et thermiquement efficace, assurant une dissipation thermique optimale pendant le fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Transistor bipolaire à porte isolée (IGBT) pour un commutateur efficace et une amplification linéaire
• Tension nominale élevée de 650V pour un fonctionnement fiable dans les circuits de puissance
• Capacité de gestion de courant de 80A pour des performances robustes
• Boîtier TO-247 pour une gestion thermique supérieure
• Convient pour l'électronique de puissance, les entraînements de moteur et d'autres applications à fort courant
• Construction robuste pour une durée de vie prolongée et une fiabilité