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Transistors MOSFET IRFB4115PBF 150V 104A 11mOhm à montage traversant

Le MOSFET IRFB4115PBF de Jeking 150V 104A 11mOhm Transistors à travers le trou est un transistor à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) haute puissance conçu pour des performances robustes dans des applications exigeantes. Ce dispositif à canal N offre une tension maximale de 150V et une capacité de gestion de courant de 104A, ce qui le rend adapté aux systèmes d'électronique de puissance et de contrôle de moteur. La faible résistance de 11mOhm garantit une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement.

Caractéristiques principales :

  • MOSFET à canal N pour une commutation efficace et une amplification linéaire
  • Tension élevée de 150V pour un fonctionnement fiable dans les circuits de puissance
  • Capacité de gestion de courant de 104A pour des performances robustes
  • Faible résistance de 11mOhm pour une perte de puissance minimale
  • Convient pour l'électronique de puissance, les entraînements de moteur et d'autres applications à fort courant
  • Construction robuste pour une durée de vie prolongée et une fiabilité
Style de montage : Montage en trou
Emballage / Boîtier : TO-220-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage Drain-Source : 150 V
Id - Courant de Drain continu : 104 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 9.3 mOhms
Vgs - Tension Gate-Source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil Gate-Source : 5 V
Qg - Charge de Gate : 77 nC

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