Transistor à effet de champ FGH60N60SFDIGBT - Semi-conducteur industriel haute efficacité

Le FGH60N60SFD est un transistor IGBT de qualité automobile fabriqué par onsemi. La puce présente une bonne stabilité et une résistance aux chocs. Elle peut assurer en continu un courant drain-source maximal de FGH60N60SFD de 60A et une tension de rupture drain-source de 600V. Elle peut être utilisée pour les onduleurs solaires. Offre des performances optimales pour les applications de générateur, de SAI, de soudure et de CFP.