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Transistor de puissance fgh60n60sfdigbt - semi-conducteur de haute efficacité de qualité industrielle

l'arrêt de champ igt 600v 120a à 247


Description du produit

fgh60n60sfd est un transistor igbt de qualité automobile produit par onsemi. la puce a une bonne stabilité et une bonne résistance aux chocs. elle peut assurer en continu le courant de sortie maximal de fgh60n60sfd de 60a et la tension de rupture de la sortie de 600v.

ModèleLe fgh60n60sfd
Marqueà semi-conducteur allumé
Emballageà 247
courant de fuite maximal60A
tension de rupture de la source de vidange600V
RDS (en) max

nombre de broches

3
CaractéristiquesDiode IGBT

courant de fuite

uA
Température de fonctionnement-55°C à 175°C


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