BUTÉE DE CHANTIER IGBT 600V 120A TO247
FGH60N60SFD s’agit d’un transistor IGBT de qualité automobile produit par onsemi. La puce a une bonne stabilité et une bonne résistance aux chocs. Il peut assurer en continu le courant de drain-source maximal de FGH60N60SFD de 60A et la tension de claquage drain-source de 600V. Il peut être utilisé pour les onduleurs solaires. Fournit des performances optimales pour les applications de générateur, d’onduleur, de soudeur et de PFC.
| Modèle | FGH60N60SFD |
| Marque | Semi-conducteur ON/ON |
| Colis | TO-247 |
| Courant de vidange maximal | 60A |
| Tension de claquage drain-source | 600 V |
| RDS(ON)Max | mΩ |
Nombre de broches | 3 |
| Fonctionnalités | Diode IGBT |
Courant de fuite | UA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
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