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Nce80td65bt Transistoren igt bis 247 dip 650v 80a

Der Jeking NCE80TD65BT Transistors IGBT TO-247 DIP 650V 80A ist ein Hochleistungs-isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT), der für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieses IGBT bietet eine Spannung von 650 V und eine Leistung von 80 A, was es für Leistungselektronik und Motorsteuerungssysteme geeignet macht. Das TO-247-Paket bietet einen langlebigen und thermisch effizienten Formfaktor, der eine optimale Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Hauptmerkmale:

  • Isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT) für effizientes Schalten und lineare Verstärkung
  • Hohe Spannungsbewertung von 650V für zuverlässigen Betrieb in Stromkreisen
  • Stromtragfähigkeit von 80A für robuste Leistung
  • TO-247-Gehäuse für überlegene Wärmeableitung
  • Geeignet für Leistungselektronik, Motorantriebe und andere Hochstromanwendungen
  • Robuste Konstruktion für längere Lebensdauer und Zuverlässigkeit

Lieferanten-Gerätpaket Bis 247
Packung / Gehäuse Original
Teilenummer NCE80TD65BT
TYP IGBT
Marke Original

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