nce80td65bt Transistoren igt bis 247 dip 650v 80a

Der Jeking NCE80TD65BT Transistors IGBT TO-247 DIP 650V 80A ist ein Hochleistungs-isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT), der für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieses IGBT bietet eine Spannung von 650 V und eine Leistung von 80 A, was es für Leistungselektronik und Motorsteuerungssysteme geeignet macht. Das TO-247-Paket bietet einen langlebigen und thermisch effizienten Formfaktor, der eine optimale Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Hauptmerkmale:

• Isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT) für effizientes Schalten und lineare Verstärkung
• Hohe Spannungsbewertung von 650V für zuverlässigen Betrieb in Stromkreisen
• Stromtragfähigkeit von 80A für robuste Leistung
• TO-247-Gehäuse für überlegene Wärmeableitung
• Geeignet für Leistungselektronik, Motorantriebe und andere Hochstromanwendungen
• Robuste Konstruktion für längere Lebensdauer und Zuverlässigkeit