MOSFET

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IRFB4115PBF MOSFET Transistor - High-Performance Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IRFB4115PBF MOSFET Transistor - High-Performance Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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IRFB4115PBF MOSFET-Transistor - Hochleistungs-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

MOSFET-TRANSISTOR 150V 104A 11mOhm 77nC Qg


Produktbeschreibung

IRFB4115PBF ist ein Feldeffekttransistor, der von Infineon Technologies hergestellt wird. Es wird hauptsächlich in der hocheffizienten Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen verwendet. Unterbrechungsfreie Stromversorgung; Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung; Hartgeschaltete und Hochfrequenzschaltungen. Seine Hauptvorteile sind Improved Gate, Avalanche und Dynamic dv/dt Ruggednes; Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche

ALSO; Verbesserte Körperdiode dV/dt; dI/dt-fähig und bleifrei

Produktkategorie  MOSFET
Hersteller Infineon Technologies
Art der Montage  Durchgangsloch
Paket / Koffer  TO-220-3
Verlustleistung 380 W
Betriebstemperatur - 55 °C - + 175 °C
Verpackung Rohr


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