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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 genannten Maßnahmen gelten für die Erstellung von

Der Jeking IRFB4110PBF MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm TO-220-3 ist ein hochleistungsfähiger Metalloxid-Halbleitersfeldwirkungstransistor (MOSFET), der für eine überlegene Leistung in Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt Dieses N-Kanal-Gerät verfügt über eine Spannung von 100 V und eine Leistung von 180 A, was es zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Leistungsmanagement- und Motorantriebssysteme macht. Der geringe Widerstand von 4,5 mOhm sorgt für einen minimalen Leistungsverlust während des Betriebs.

Hauptmerkmale:

  • N-Kanal-MOSFET für effizientes Schalten und lineare Verstärkung
  • Hohe Spannungsbewertung von 100V für robusten Betrieb in Stromkreisen
  • Aktuelle Handhabungskapazität von 180A für außergewöhnliche Leistung
  • Niedriger Widerstand von 4,5mOhm für minimalen Leistungsverlust
  • Geeignet für Leistungselektronik, Motorantriebe und andere Hochstromanwendungen
  • Robuste Konstruktion für längere Lebensdauer und Zuverlässigkeit
Gehäuse / Verpackung: TO-220-3
Transistorenpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Abflussspannung: 100 V
Id - Dauerstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source Widerstand: 3,7 mOhms
Vgs - Gate-Source Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Schwellenspannung: 1,8 V
Qg - Gate Ladung: 150 nC
Pd - Energieverlust: 370 W

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