Transistoren mit

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fqa60n65smdigbt-Transistor - Hochleistungs-isolierter Bipolartransistor für industrielle Anwendungen

Igbt Feldhalt 650V 120A bis 3P

Produktbeschreibung

fga60n65smd ist ein 600v, 60a igbt Modul, das von on Semiconductor hergestellt wird. Es hat eine Nennspannung von 600v und einen Nennstrom von 60a, was es für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen geeignet macht. Es hat ein niedriges Widerstand


Anwendungen in der Leistungselektronik: geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen im Bereich der Leistungselektronik, wie Frequenzumrichter, Motorantriebe usw.


Industrieanwendungen für die Steuerung: geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen im Bereich der industriellen Steuerung, wie z. B. PLC, Industrieroboter usw.


Anwendungen in der Automobilelektronik: geeignet für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen im Bereich der Automobilelektronik, wie Elektrofahrzeuge, Hybridfahrzeuge usw.


andere Anwendungen: geeignet für andere Anwendungen, die hohe Spannung und hohe Leistung erfordern, wie Solarumrichter, Windkraftanlagen usw.

Hersteller-Produktnummer

Fqa60n65smd

Hersteller

Ein- und ein-seitige
Typ Feldhalt
Leistung - max. 600W
Prüfbedingungen 400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V
Montagetyp Durch Loch

Packung / Gehäuse

bis 3p

Betrieb Temperatur -55 °C bis 175 °C (tj)


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