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fgh60n60sfdigbt Leistungstransistor - Halbleiter von hohem Wirkungsgrad für die Industrie

Igbt Feldhalt 600v 120a bis 247


Produktbeschreibung

fgh60n60sfd ist ein von onsemi hergestellter IGBT-Transistor für den Automobilbereich. Der Chip hat eine gute Stabilität und Stoßbeständigkeit. Er kann kontinuierlich den maximalen Abflussstrom von fgh60n60sfd von 60a und die Abflussspannung von 600v gewährle

ModellFgh60n60sfd
Markeauf/auf Halbleiter
Paketbis 247
maximaler Abfluss der Abflussquelle60a
Abflussspannung600 V
RDS (on) max

Anzahl der Pins

3
MerkmaleGebäude

Leckstrom

u
Betriebstemperatur-55°C bis 175°C


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