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fgh60n60sfdigbt Leistungstransistor - Halbleiter von hohem Wirkungsgrad für die Industrie

Igbt Feldhalt 600v 120a bis 247


Produktbeschreibung

fgh60n60sfd ist ein von onsemi hergestellter IGBT-Transistor für den Automobilbereich. Der Chip hat eine gute Stabilität und Stoßbeständigkeit. Er kann kontinuierlich den maximalen Abflussstrom von fgh60n60sfd von 60a und die Abflussspannung von 600v gewährle

Modell Fgh60n60sfd
Marke auf/auf Halbleiter
Verpackung bis 247
maximaler Abfluss der Abflussquelle 60A
Abflussspannung 600V
RDS (on) max

Anzahl der Pins

3
Funktionen IGBT-Diode

Leckstrom

uA
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C


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