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IGBT FIELD STOP 600V 120A BIS 247
FGH60N60SFD ist ein IGBT-Transistor in Automobilqualität, der von onsemi hergestellt wird. Der Chip hat eine gute Stabilität und Schlagfestigkeit. Es kann kontinuierlich den maximalen Drain-Source-Strom von FGH60N60SFD von 60 A und die Drain-Source-Durchbruchspannung von 600 V sicherstellen. Es kann für Solarwechselrichter verwendet werden. Bietet optimale Leistung für Generator-, USV-, Schweißer- und PFC-Anwendungen.
| Modell | FGH60N60SFD |
| Marke | ON/ON Halbleiter |
| Paket | TO-247 |
| Maximaler Drain-Source-Strom | 60A |
| Durchbruchspannung der Drain-Quelle | 600V |
| RDS(EIN)Max | mΩ |
Anzahl der Pins | 3 |
| Funktionen | IGBT-Diode |
Ableitstrom | Ua |
| Betriebstemperatur | -55 °C ~ 175 °C |
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