Jeking IRFB4115PBF MOSFET 150V 104A 11mOhm Through Hole Transistors - это мощный транзистор с эффектом поля металлического оксида-полупроводника (MOSFET), предназначенный для надежной работы в требовательных приложениях. Это N-канальное устройство имеет максимальное напряжение 150 В и мощность 104 А, что делает его подходящим для силовой электроники и систем управления двигателем. Низкое сопротивление 11 мОм обеспечивает минимальные потери мощности во время работы.
Основные характеристики:
| Стиль монтажа: | Через отверстие |
| Корпус / Упаковка: | TO-220-3 |
| Полярность транзистора: | N-канал |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Vds - Напряжение пробоя сток-исток: | 150 В |
| Id - Постоянный ток стока: | 104 A |
| Rds On - Сопротивление сток-исток: | 9,3 мОмм |
| Vgs - Напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: | 5 В |
| Qg - Заряд затвора: | 77 н.э. |
TDA8954TH Suite Integrated Circuitry - Специализированные другие интегральные микросхемы для индивидуальных приложений
ATPL360-EK, PL360B Комплект оценки для коммуникации на линейках питания (PLC) Справочный дизайн с использованием части ATSAM4CMS16C от Microchip Technology
Nce80td65bt транзисторы igt до-247 dip 650v 80a
ESP32-WROOM-32E-N4 RF транзистор - высокочастотный полупроводник для устройств беспроводной связи
Оригинальные аудио-иск-системы многоваттовые TDA7294 TDA7294V
AN56778, PowerPSoC - MPPT солнечное зарядное устройство с интегрированным светодиодным драйвером с использованием CY8CLED04D01-56LTXI от Infineon Technologies AG
Наша дружная команда с удовольствием услышит от вас! или напишите нам на сайт@icking.com!