FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications

FQA60N65SMDIGBT Транзистор - мощный биполярный транзистор с изолированным затвором для промышленного применения

ПОЛЕВОЙ УПОР IGBT 650 В 120 А ДО 3

Описание продукта

FGA60N65SMD — это модуль IGBT 600 В, 60 А производства ON Semiconductor. Он имеет номинальное напряжение 600 В и номинальный ток 60 А, что делает его пригодным для высоковольтных и мощных приложений. Он имеет конструкцию с низким сопротивлением во включенном состоянии, что может снизить потери проводимости и повысить эффективность. Кроме того, он обладает высокой скоростью переключения, что позволяет снизить потери при переключении и повысить эффективность. Наконец, он обладает высокой температурной устойчивостью и может адаптироваться к высокотемпературным средам.


Применение в силовой электронике: подходит для высоковольтных и мощных применений в области силовой электроники, таких как преобразователи частоты, приводы двигателей и т. Д.


Приложения для промышленного управления: подходят для высоковольтных и мощных приложений в области промышленного управления, таких как ПЛК, промышленные роботы и т. Д.


Применение в автомобильной электронике: подходит для высоковольтных и мощных приложений в области автомобильной электроники, таких как электромобили, гибридные автомобили и т. Д.


Другие применения: Подходит для других приложений, требующих высокого напряжения и высокой мощности, таких как солнечные инверторы, ветряные турбины и т. Д.

Номер продукта производителя

FQA60N65SMD

Изготовитель

Онсеми,
Тип IGBTОстановка в поле
Мощность - Макс600 Вт
Условия испытания400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В
Тип крепленияСквозное отверстие

Упаковка / Чехол 

ТО-3П

ОперационныйТемпература-55°C ~ 175°C (TJ)


Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Отправить по электронной почте
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000
Прикрепление
До 3 файлов, больше 30 мб, поддержка jpg, jpeg, png, pdf, doc, docx, xls, xlsx, csv, txt
inquiry
Свяжитесь с нами

Наша дружная команда будет рада услышать вас! Или напишите нам на [email protected]!

Адрес электронной почты*
Имя*
Номер телефона
Название компании*
Факс
Страна
Сообщение*