FGH60N60SFDIGBT - высокоэффективный полупроводник промышленного класса

Игбит полевая остановка 600В 120А до 247


Описание продукта

fgh60n60sfd - это автомобильный IGBT-транзистор, производимый onsemi. Чип имеет хорошую стабильность и устойчивость к ударам. Он может непрерывно обеспечивать максимальный ток отхода от источника fgh60n60sfd 60a и напряжение отхода от источника 600v. Он

Модельfgh60n60sfd
Брендна/в полупроводнике
Упаковкадо 247
максимальный ток источника оттока60А
напряжение отключения от источника оттока600V
rds ((on) maxмОм

количество штифтов

3
ОсобенностиIGBT диод

ток утечки

uA
Рабочая температура-55°C~175°C


Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000
Вложение
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt
inquiry
Свяжитесь с нами

наша дружная команда с удовольствием услышит от вас! или напишите нам на сайт@icking.com!

Email Address*
Имя*
Номер телефона
Название компании*
Факс
Страна
Сообщение*