ПОЛЕВОЙ УПОР IGBT 600 В 120 А ДО 247
FGH60N60SFD — автомобильный транзистор IGBT производства компании onsemi. Чип обладает хорошей стабильностью и ударопрочностью. Он может непрерывно обеспечивать максимальный ток стока-источника FGH60N60SFD 60 А и напряжение пробоя стока-источника 600 В. Его можно использовать для солнечных инверторов. Обеспечивает оптимальную производительность для генераторов, ИБП, сварочных аппаратов и PFC.
Модель | FGH60N60SFD |
Клеймо | ВКЛ/ВКЛ Полупроводники |
Пакет | ТО-247 |
Максимальный ток стока-источника | 60А |
Напряжение пробоя от источника стока | 600 В |
RDS(ON)Max | мОм |
Количество контактов | 3 |
Функции | IGBT диод |
Ток утечки | UA |
Рабочая температура | -55°C ~ 175°C |
Наша дружная команда будет рада услышать вас! Или напишите нам на [email protected]!