igt campo de parada 600v 120a a 247
fgh60n60sfd é um transistor igbt de nível automotivo produzido pela onsemi. O chip tem boa estabilidade e resistência ao impacto. Ele pode garantir continuamente a corrente máxima de saída da fonte de fgh60n60sfd de 60a e a tensão de ruptura da fonte de saída de 600v. Pode ser usado
| Modelo | Fgh60n60sfd |
| Marca | semicondutor ligado/ligado |
| Pacote | até 247 |
| corrente máxima da fonte de drenagem | 60a |
| tensão de ruptura da fonte de drenagem | 600 V |
| Rds (on) max | mΩ |
número de pinos | 3 |
| características | Diodo igbt |
corrente de fuga | u |
| temperatura de funcionamento | -55°C~175°C |
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