IGBT 트랜지스터

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FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
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FQA60N65SMDIGBT 트랜지스터 - 산업용 애플리케이션을 위한 고출력 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

IGBT 필드 스톱 650V 120A TO3P

생산물 기술

FGA60N65SMD는 ON Semiconductor에서 생산하는 600V, 60A IGBT 모듈입니다. 정격 전압은 600V이고 정격 전류는 60A이므로 고전압 및 고전력 애플리케이션에 적합합니다. 낮은 온 저항 설계를 채택하여 전도 손실을 줄이고 효율성을 향상시킬 수 있습니다. 또한 스위칭 속도가 빨라 스위칭 손실을 줄이고 효율성을 향상시킬 수 있습니다. 마지막으로, 고온 내성이 있으며 고온 환경에 적응할 수 있습니다.


전력 전자 응용 분야: 주파수 변환기, 모터 드라이브 등과 같은 전력 전자 분야의 고전압 및 고전력 응용 분야에 적합합니다.


산업 제어 응용 프로그램: PLC, 산업용 로봇 등과 같은 산업 제어 분야의 고전압 및 고전력 응용 분야에 적합합니다.


자동차 전자 응용 분야: 전기 자동차, 하이브리드 차량 등과 같은 자동차 전자 장치 분야의 고전압 및 고전력 응용 분야에 적합합니다.


다른 응용 프로그램: 태양광 인버터, 풍력 터빈 등과 같이 고전압 및 고전력이 필요한 다른 응용 분야에 적합합니다.

제조업체 제품 번호

FQA60N65SMD

생산자

(주)온세미
IGBT 유형필드 스톱
전력 - 최대600와트
테스트 조건400V, 60A, 3옴, 15V
실장 형관통 구멍

패키지 / 케이스 

TO-3P

운영온도-55°C ~ 175°C (TJ)


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