Il IRFB4110PBF MOSFET TO220AB Jeking N-CH 100V 120A è un transistor a effetto di campo (MOSFET) a semiconduttore di ossido di metallo ad alta potenza progettato per prestazioni superiori nelle applicazioni di elettronica di potenza. Questo dispositivo a canale N vanta una tensione nominale massima di 100 V e una capacità di gestione della corrente di 120 A, il che lo rende la scelta ideale per i sistemi di gestione dell'alimentazione e di azionamento del motore più esigenti. Il pacchetto TO220AB garantisce un'efficiente dissipazione del calore, contribuendo all'affidabilità e alla longevità complessive del dispositivo.
Caratteristiche principali:
| Tipo FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tensione da drain a source (Vdss) | 100 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm @ 75 A, 10 V |
| vgs(th) (massimo) @ id | 4V @ 250μA |
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