ARRESTO DI CAMPO IGBT 650V 120A TO3P
FGA60N65SMD è un modulo IGBT da 600 V, 60 A prodotto da ON Semiconductor. È dotato di una tensione nominale di 600 V e una corrente nominale di 60 A, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza. Adotta un design a bassa resistenza in conduzione , che può ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza. E ha anche un'elevata velocità di commutazione, che può ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza. Infine, ha un'elevata tolleranza alle temperature e può adattarsi ad ambienti ad alta temperatura.
Applicazioni dell'elettronica di potenza: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo dell'elettronica di potenza, come convertitori di frequenza, azionamenti per motori, ecc.
Applicazioni di controllo industriale: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo del controllo industriale, come PLC, robot industriali, ecc.
Applicazioni dell'elettronica automobilistica: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo dell'elettronica automobilistica, come veicoli elettrici, veicoli ibridi, ecc.
Altre applicazioni: Adatto per altre applicazioni che richiedono alta tensione e alta potenza, come inverter solari, turbine eoliche, ecc.
Codice prodotto del produttore | FQA60N65SMD |
Fabbricante | onsemi |
Tipo IGBT | Arresto sul campo |
Potenza - Max | 600W |
Condizione di prova | 400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V |
Tipo di montaggio | Foro passante |
Pacchetto / Custodia | TO-3P |
OperatorioTemperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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