IGBT Transistor

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FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
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FQA60N65SMDIGBT Transistor - Transistor bipolare a gate isolato ad alta potenza per applicazioni industriali

ARRESTO DI CAMPO IGBT 650V 120A TO3P

Descrizione del prodotto

FGA60N65SMD è un modulo IGBT da 600 V, 60 A prodotto da ON Semiconductor. È dotato di una tensione nominale di 600 V e una corrente nominale di 60 A, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza. Adotta un design a bassa resistenza in conduzione , che può ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza. E ha anche un'elevata velocità di commutazione, che può ridurre le perdite di commutazione e migliorare l'efficienza. Infine, ha un'elevata tolleranza alle temperature e può adattarsi ad ambienti ad alta temperatura.


Applicazioni dell'elettronica di potenza: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo dell'elettronica di potenza, come convertitori di frequenza, azionamenti per motori, ecc.


Applicazioni di controllo industriale: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo del controllo industriale, come PLC, robot industriali, ecc.


Applicazioni dell'elettronica automobilistica: Adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo dell'elettronica automobilistica, come veicoli elettrici, veicoli ibridi, ecc.


Altre applicazioni: Adatto per altre applicazioni che richiedono alta tensione e alta potenza, come inverter solari, turbine eoliche, ecc.

Codice prodotto del produttore

FQA60N65SMD

Fabbricante

onsemi
Tipo IGBTArresto sul campo
Potenza - Max600W
Condizione di prova400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V
Tipo di montaggioForo passante

Pacchetto / Custodia 

TO-3P

OperatorioTemperatura-55°C ~ 175°C (TJ)


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