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transistor di potenza fgh60n60sfdigbt - semiconduttore ad alta efficienza di grado industriale

Igbt campo di arresto 600v 120a a247


Descrizione del Prodotto

fgh60n60sfd è un transistor igbt di livello automobilistico prodotto da onsemi. Il chip ha una buona stabilità e resistenza agli urti. Può garantire continuamente la corrente massima di scarico della fgh60n60sfd di 60a e la tensione di rottura della fonte di scarico di 600

Modello Fgh60n60sfd
Marca semiconduttore acceso/accesso
Imballaggio a-247
corrente massima della fonte di scarico 60A
tensione di rottura della fonte di scarico 600V
rds ((on) max

numero di perni

3
Caratteristiche Diodo IGBT

corrente di fuga

uA
Temperatura di funzionamento -55°C~175°C


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