Jeking N-CH 100V 120A TO220AB MOSFET IRFB4110PBF

जेकिंग एन-सीएच 100 वी 120 ए TO220AB MOSFET IRFB4110PBF एक उच्च शक्ति धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (MOSFET) है जिसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों में बेहतर प्रदर्शन के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एन-चैनल डिवाइस 100V के अधिकतम वोल्टेज और 120A की वर्तमान हैंडलिंग क्षमता का दावा करता है, जिससे यह मांग वाले पावर मैनेजमेंट और मोटर ड्राइव सिस्टम के लिए आदर्श विकल्प बन जाता है। TO220AB पैकेज प्रभावी गर्मी अपव्यय सुनिश्चित करता है, जिससे उपकरण की समग्र विश्वसनीयता और दीर्घायु में योगदान होता है।

मुख्य विशेषताएँ:

  • कुशल स्विचिंग और रैखिक प्रवर्धन के लिए N-चैनल MOSFET
  • पावर सर्किट में मजबूत संचालन के लिए 100V का उच्च वोल्टेज रेटिंग
  • असाधारण प्रदर्शन के लिए 120A की वर्तमान संभाल क्षमता
  • उन्नत थर्मल प्रबंधन के लिए TO220AB पैकेज
  • पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, मोटर ड्राइव और अन्य उच्च-करंट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त
  • विस्तारित सेवा जीवन और विश्वसनीयता के लिए मजबूत निर्माण
एफईटी प्रकार N-चैनल
प्रौद्योगिकी मोस्फेट (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन से सोर्स वोल्टेज (Vdss) 100 V

करंट - निरंतर ड्रेन (Id) @ 25°C

120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स Rds ऑन, मिन Rds ऑन) 10V
Rds ऑन (मैक्स) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (मैक्स) @ Id 4V @ 250µA

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