ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) جی کینگ اورجینال 200V 130A 9.7mOhm TO-247-3 IRFP4668 یک ترانزیستور با توان بالا است که برای عملکرد برتر در کاربردهای الکترونیک قدرت طراحی شده است. این دستگاه از نوع N-channel دارای حداکثر ولتاژ 200V و ظرفیت جریان 130A است که آن را به انتخابی ایده آل برای سیستم‌های مدیریت قدرت و درایو موتور با نیازهای بالا تبدیل می‌کند. بسته TO-247-3 اطمینان از دفع حرارت مؤثر را فراهم می‌کند و به قابلیت اطمینان و طول عمر کلی دستگاه کمک می‌کند.
ویژگی‌های کلیدی:
| سبک نصب: | Montage از طریق سوراخ |
| بسته / کیس: | TO-247-3 |
| Vds - ولتاژ قطع منبع تخلیه: | 200 ولت |
| Id - جریان تخلیه مداوم: | 130 A |
مجموعه مدارهای یکپارچه TDA8954TH - دیگر IC های تخصصی برای برنامه های سفارشی
AN56778، PowerPSoC - شارژر خورشیدی MPPT با راننده LED یکپارچه با استفاده از CY8CLED04D01-56LTXI Infineon Technologies AG
ATPL360-EK، PL360B کیت ارزیابی برای ارتباطات خط برق (PLC) طراحی مرجع با استفاده از قسمت ATSAM4CMS16C توسط فناوری میکروچیپ
ICهای صوتی اصلی Jeking Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
ترانزیستور NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A
ترانزیستور RF ESP32-WROOM-32E-N4 - نیمه هادی فرکانس بالا برای دستگاه های ارتباطات بی سیم
تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!