El IRFB3607PBF de MOSFET TO220AB Jeking N-CH 75V 80A es un transistor de efecto de campo (MOSFET) de semiconductores de óxido metálico de alta potencia diseñado para un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Este dispositivo de canal N ofrece una tensión nominal máxima de 75 V y una capacidad de manejo de corriente de 80 A, lo que lo hace adecuado para electrónica de potencia y sistemas de control de motores. El paquete TO220AB proporciona un factor de forma duradero y térmicamente eficiente, lo que garantiza una disipación de calor óptima durante el funcionamiento.
Características principales:
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V |
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C | 80A (TC) |
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) | 10V |
rds encendidos (máx.) @ id, vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 4V @ 100μA |
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs | 84 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
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