El IRFB4110PBF Jeking N-CH 100V 120A TO220AB MOSFET es un transistor de efecto de campo (MOSFET) de semiconductores de óxido metálico de alta potencia diseñado para un rendimiento superior en aplicaciones de electrónica de potencia. Este dispositivo de canal N cuenta con una tensión nominal máxima de 100 V y una capacidad de manejo de corriente de 120 A, lo que lo convierte en una opción ideal para sistemas exigentes de administración de energía y accionamiento de motores. El paquete TO220AB garantiza una disipación de calor eficiente, lo que contribuye a la fiabilidad y longevidad generales del dispositivo.
Características principales:
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C | 120A (TC) |
| Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) | 10V |
| rds encendidos (máx.) @ id, vgs | 4.5mOhm @ 75A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4V @ 250μA |
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