IRFB4115PBF MOSFET 150V 104A 11mOhm a través de transistores de agujero

Descripción del producto

El Jeking IRFB4115PBF MOSFET 150V 104A 11mOhm Through Hole Transistors es un transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico de alta potencia (MOSFET) diseñado para un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Este dispositivo de canal N ofrece una tensión nominal máxima de 150V y una capacidad de manejo de corriente de 104A, lo que lo hace adecuado para sistemas de electrónica de potencia y control de motores. La baja resistencia de 11 mOhm garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento.

Las características principales:

Estilo de montaje: a través del agujero
Paquete / Estuche: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-canal
Número de canales: 1 Canal
Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje: Las demás
Id - Corriente de drenaje continua: El artículo 104 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 9,3 mOhms
Vgs - Voltado de la fuente de la puerta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltado de umbral de la fuente de la puerta: 5 v
Qg - Carga de la puerta: 77 después de Cristo

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