Transistor FQA60N65SMDIGBT - Transistor Bipolar de Puerta Aislada de Alta Potencia para Aplicaciones Industriales

IGBT para el campo 650v 120a a 3p

Descripción del producto

fga60n65smd es un módulo de 600v, 60a igbt producido por on semiconductor. tiene un voltaje nominal de 600v y una corriente nominal de 60a, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia. adopta un diseño de baja resistencia, que puede reducir las pérdidas


aplicaciones de electrónica de potencia: adecuadas para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia en el campo de la electrónica de potencia, como convertidores de frecuencia, motores de accionamiento, etc.


aplicaciones de control industrial: adecuadas para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia en el campo del control industrial, como PLC, robots industriales, etc.


aplicaciones en la electrónica automotriz: adecuadas para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia en el campo de la electrónica automotriz, como vehículos eléctricos, vehículos híbridos, etc.


otras aplicaciones: adecuadas para otras aplicaciones que requieren de alto voltaje y alta potencia, como los inversores solares, las turbinas eólicas, etc.

número de producto del fabricante

FQ60N65smd

Fabricante

el semicirculo
Tipo de igbtparada de campo
potencia - máximo600 W
Condición de ensayoLas emisiones de CO2 de los combustibles fósiles son las siguientes:
Tipo de montajea través del agujero

Envase / estuche

hasta 3p

FuncionamientoTemperatura-55°c ~ 175°c (tj)


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