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TOPE DE CAMPO IGBT 600V 120A TO247
FGH60N60SFD es un transistor IGBT de grado automotriz producido por onsemi. El chip tiene buena estabilidad y resistencia al impacto. Puede garantizar continuamente la corriente máxima de la fuente de drenaje de FGH60N60SFD de 60 A y el voltaje de ruptura de la fuente de drenaje de 600 V. Se puede utilizar para inversores solares. Proporciona un rendimiento óptimo para aplicaciones de generadores, UPS, soldadores y PFC.
| Modelo | FGH60N60SFD |
| Marca | ON/ON Semiconductor |
| Paquete | TO-247 |
| Corriente máxima de la fuente de drenaje | 60A |
| Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje | 600V |
| RDS(ON)Máx. | mΩ |
Número de pines | 3 |
| Funciones | Diodo IGBT |
Corriente de fuga | Ua |
| Temperatura de trabajo | -55 °C ~ 175 °C |
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