IGBT parada de campo 600v 120a a 247
fgh60n60sfd es un transistor igbt de grado automotriz producido por onsemi. El chip tiene buena estabilidad y resistencia al impacto. Puede garantizar continuamente la corriente máxima de salida de fgh60n60sfd de 60a y el voltaje de ruptura de la fuente de escape de 600v. Se puede usar para
| Modelo | Fgh60n60sfd |
| Marca | en/en semiconductor |
| Embalaje | hasta el 247 |
| corriente máxima de la fuente de drenaje | Las demás |
| tensión de ruptura de la fuente de drenaje | 600V |
| rds ((on) max | MΩ |
número de pines | 3 |
| Características | Diodo IGBT |
corriente de fuga | uA |
| Temperatura de trabajo | -55°C a 175°C |
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